三星电子最早将在今年 3 月停止在华城园区 12 号生产线制造 2D NAND 闪存，其 2D NAND 闪存时代将正式结束。三星 2013 年实现 3D NAND 量产，此前保留小规模 2D NAND 产能以应对特殊利基市场需求。华城 12 号生产线未来将服务于 1c nm DRAM 内存制造，负责后端工艺，与前端生产线协力，此外三星还在平泽园区扩展 1c nm DRAM 内存产能。
消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存，原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程
【消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存，原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程】
三星电子最早将在今年 3 月停止在华城园区 12 号生产线制造 2D NAND 闪存，其 2D NAND 闪存时代将正式结束。三星 2013 年实现 3D NAND 量产，此前保留小规模 2D NAND 产能以应对特殊利基市场需求。华城 12 号生产线未来将服务于 1c nm DRAM 内存制造，负责后端工艺，与前端生产线协力，此外三星还在平泽园区扩展 1c nm DRAM 内存产能。
三星电子最早将在今年 3 月停止在华城园区 12 号生产线制造 2D NAND 闪存，其 2D NAND 闪存时代将正式结束。三星 2013 年实现 3D NAND 量产，此前保留小规模 2D NAND 产能以应对特殊利基市场需求。华城 12 号生产线未来将服务于 1c nm DRAM 内存制造，负责后端工艺，与前端生产线协力，此外三星还在平泽园区扩展 1c nm DRAM 内存产能。