消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存，原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程

何顺辉

【消息称三星电子将停产 2D NAND 闪存，原有产线用于 1c nm DRAM 内存制程】


三星电子最早将在今年 3 月停止在华城园区 12 号生产线制造 2D NAND 闪存，其 2D NAND 闪存时代将正式结束。三星 2013 年实现 3D NAND 量产，此前保留小规模 2D NAND 产能以应对特殊利基市场需求。华城 12 号生产线未来将服务于 1c nm DRAM 内存制造，负责后端工艺，与前端生产线协力，此外三星还在平泽园区扩展 1c nm DRAM 内存产能。